| 标题 |
 Uniformity improvement of thickness and net donor concentration in halide vapor phase epitaxial β-Ga2O3 wafers prepared on miscut angle substrates 错切角衬底上卤化物气相外延β-Ga2O3晶片厚度和净施主浓度均匀性的改善
相关领域
外延
薄脆饼
材料科学
基质（水族馆）
抛光
气相
光电子学
兴奋剂
相（物质）
卤化物
分析化学（期刊）
化学
纳米技术
复合材料
无机化学
图层（电子）
色谱法
海洋学
物理
有机化学
地质学
热力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Chia-Hung Lin; Kentaro Ema; Satoshi Masuya; Quang Tu Thieu; Ryoichi Sakaguchi; et al 出版日期：2023-01-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
毛豆
无名老大
归尘
方羽
pluto
36456657
Leonardi
彭于彦祖
南宫清涟
坚强亦丝
iNk
hardworkcd
Candice
pcr163
杳鸢
丰知然
跳跃仙人掌
Singularity
尊敬的金针菇
tuanheqi
皖公网安备34019202002308
