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Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Silicon (111) substrates employing multi-stacked strained layer superlattice structures
硅(111)衬底上多层应变层超晶格结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研究
相关领域
超晶格
材料科学
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电气工程
工程类
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期刊:Superlattices and Microstructures 作者:Pradip Dalapati; Shunsuke Urata; Takashi Egawa 出版日期:2020-09-18 |
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