标题 |
Overvoltage Robustness of p-Gate GaN HEMTs in High Frequency Switching up to Megahertz
p栅GaN HEMT在高达兆赫的高频开关中的过压鲁棒性
相关领域
过电压
电气工程
高电子迁移率晶体管
晶体管
材料科学
光电子学
计算机科学
拓扑(电路)
电压
工程类
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期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Ruizhe Zhang; Qihao Song; Qiang Li; Yuhao Zhang 出版日期:2023-01-01 |
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