| 标题 |
 Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers 具有低温AlN夹层的Si（111）衬底上MOCVD生长GaN的电学性质
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
化学气相沉积
基质（水族馆）
掺杂剂
热传导
接受者
金属
霍尔效应
电阻率和电导率
光电子学
兴奋剂
图层（电子）
纳米技术
凝聚态物理
外延
复合材料
冶金
地质学
工程类
物理
电气工程
海洋学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Physics B 作者：Yiqiang Ni; Zhiyuan He; Jian Zhong; Yao Yao; Fan Yang; et al 出版日期：2013-08-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
薰硝壤
不配.
浅尝离白
Singularity
Henry
shinysparrow
8R60d8
juziyaya
个性的紫菜
xiaxiao
iNk
有人
寻道图强
咖啡豆
HEIKU
竹筏过海
Leonardi
毛豆爸爸
pcr163
肯德鸭
皖公网安备34019202002308
