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High-Photoresponsivity Self-Powered a-, ε-, and β-Ga2O3/p-GaN Heterojunction UV Photodetectors with an In Situ GaON Layer by MOCVD
MOCVD原位GaON层高光响应自供电a-、ε-和β-Ga2O3/p-GaN异质结紫外光电探测器
相关领域
光电探测器
响应度
材料科学
光电子学
金属有机气相外延
异质结
比探测率
暗电流
化学气相沉积
紫外线
图层(电子)
纳米技术
外延
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DOI | |
其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Yongjian Ma; Tiwei Chen; Xiaodong Zhang; Wenbo Tang; Boyuan Feng; et al 出版日期:2022-07-25 |
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