Etching mechanisms of Si and SiO2 in fluorocarbon ICP plasmas: analysis of the plasma by mass spectrometry, Langmuir probe and optical emission spectroscopy

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标题	Etching mechanisms of Si and SiO2 in fluorocarbon ICP plasmas: analysis of the plasma by mass spectrometry, Langmuir probe and optical emission spectroscopy 碳氟化合物ICP等离子体中Si和SiO2的刻蚀机理：等离子体的质谱、朗缪尔探针和发射光谱分析
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/39/9/01...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	Frank 在 2024-12-26 10:32:35 发布自浙江，悬赏 10 积分
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