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Near‐Ideal Schottky Junction Photodetectors Based on Semimetal‐Semiconductor Van der Waals Heterostructures
基于半金属半导体范德华异质结构的近理想肖特基结光电探测器
相关领域
材料科学
异质结
光电探测器
半导体
范德瓦尔斯力
肖特基势垒
半金属
光电子学
凝聚态物理
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硅
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二极管
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分子
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Guangcan Wang; Yang Sun; Zhe Yang; Weixi Lu; Shuo Chen; et al 出版日期:2024-02-21 |
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