Enhanced Heterojunction Interface Quality To Achieve 9.3% Efficient Cd-Free Cu2ZnSnS4 Solar Cells Using Atomic Layer Deposition ZnSnO Buffer Layer

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标题	Enhanced Heterojunction Interface Quality To Achieve 9.3% Efficient Cd-Free Cu2ZnSnS4 Solar Cells Using Atomic Layer Deposition ZnSnO Buffer Layer 利用原子层沉积ZnSnO缓冲层提高异质结界面质量实现效率9.3%的无Cd Cu2ZnSnS4太阳电池相关领域捷克先令锌黄锡矿图层（电子）异质结钝化材料科学开路电压化学浴沉积原子层沉积光电子学光伏太阳能电池纳米技术光伏系统带隙电压电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b03398
DOI	10.1021/acs.chemmater.8b03398 doi
其它	期刊：Chemistry of Materials 作者：Xin Cui; Kaiwen Sun; Jialiang Huang; Chang-Yeh Lee; Chang Yan; et al 出版日期：2018-10-20
求助人	polarbear 在 2023-09-01 09:43:45 发布自河北，悬赏 10 积分
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