Band engineering of III-nitride-based deep-ultraviolet light-emitting diodes: a review

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标题	Band engineering of III-nitride-based deep-ultraviolet light-emitting diodes: a review Ⅲ-氮化物基深紫外发光二极管的能带工程研究进展相关领域光电子学紫外线材料科学氮化物发光二极管紫外线二极管纳米技术工程物理物理图层（电子）
网址	http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ab4d7b
DOI	10.1088/1361-6463/ab4d7b doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Zhongjie Ren; Huabin Yu; Zhongling Liu; Danhao Wang; Chong Xing; et al 出版日期：2019-10-15
求助人	mj 在 2023-12-13 11:04:03 发布自浙江，悬赏 10 积分
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