Influence of different channel crystal orientation on performance of 4H-SiC MOSFET

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标题	[高分] Influence of different channel crystal orientation on performance of 4H-SiC MOSFET 沟道晶体取向对4H-SiC MOSFET性能的影响相关领域材料科学 MOSFET 沟槽薄脆饼光电子学 Crystal（编程语言）阈值电压频道（广播）方向（向量空间）电子迁移率电压击穿电压电气工程晶体管纳米技术图层（电子）计算机科学工程类几何学数学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1117/12.2674766
DOI	10.1117/12.2674766 doi
其它	期刊：作者：Jialin Liu; YingKun Liu; YongLiang Tan; Jiajia Li; Zhen Wang 出版日期：2023-05-02
求助人	小胡在 2023-12-23 16:18:16 发布自浙江，悬赏 50 积分
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