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 Impact-ionization model consistent with the band structure of semiconductors 符合半导体能带结构的冲击电离模型
相关领域
电离
半导体
原子物理学
电子
撞击电离
电子能带结构
电离能
物理
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化学
量子力学
离子
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Nobuyuki Sano; Akira Yoshii 出版日期：1995-03-01 |
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