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Role of gate current and polarization switching in sub-60 mV/decade steep subthreshold slope in metal–ferroelectric HfZrO2–metal–insulator–Si FET
金属-铁电HfZrO2-金属-绝缘体-Si FET中栅极电流和极化开关在亚60 mV/decade陡峭亚阈值斜率中的作用
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Kyungmin Jang; Masaharu Kobayashi; Toshiro Hiramoto 出版日期:2018-10-19 |
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