Investigating the effects of the interface defects on the gate leakage current in MOSFETs

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标题	Investigating the effects of the interface defects on the gate leakage current in MOSFETs 界面缺陷对MOSFET栅极漏电流影响的研究相关领域材料科学 MOSFET 光电子学泄漏（经济）工程物理电子工程电气工程晶体管工程类电压经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.04.045
DOI	10.1016/j.apsusc.2008.04.045 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Ling‐Feng Mao 出版日期：2008-04-21
求助人	yhz_zjut 在 2024-09-30 14:12:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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