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 Effects of NiO Doping and Trench Wall Tilt on Ga2O3 PiN Diodes Performance NiO掺杂和沟槽壁倾斜对Ga2O3 PiN二极管性能的影响
相关领域
材料科学
沟槽
倾斜（摄像机）
二极管
非阻塞I/O
兴奋剂
光电子学
PIN二极管
纳米技术
结构工程
工程类
生物化学
催化作用
化学
图层（电子）
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Geon‐Hee Lee; Taehee Lee; Ji‐Soo Choi; Young-Hun Cho; Yejin Kim; et al 出版日期：2024-09-03 |
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