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Mechanistic influence on uniformity of sheet resistance of AlGaN/GaN HEMT grown on Si substrate with the graded AlGaN buffer layers
梯度AlGaN缓冲层对Si衬底AlGaN/GaN HEMT薄膜电阻均匀性的机理影响
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期刊:Vacuum 作者:Jinbang Ma; Yachao Zhang; Yifan Li; Tao Zhang; Yixin Yao; et al 出版日期:2022-05-01 |
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