| 标题 |
 First demonstration of full integration and characterization of 4F² 1S1M cells with 45 nm of pitch and 20 nm of MTJ size 首次展示间距为45 nm、MTJ尺寸为20 nm的4F²1S1M电池的完全集成和表征
相关领域
磁阻随机存取存储器
可扩展性
CMOS芯片
点（几何）
计算机科学
光电子学
材料科学
电气工程
随机存取存储器
电子工程
计算机硬件
工程类
数学
操作系统
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Soo Man Seo; H. Aikawa; Soo Gil Kim; T. Nagase; Yuich Ito; et al 出版日期：2022-12-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
JY
寻道图强
lin
Cloud
CipherSage
穆紫
美好乐松
凤凰
贰鸟
Singularity
萧水白
ming
星辰大海
YifanWang
hzc
黑白
jyy
脑洞疼
Simon
结实的寄柔
皖公网安备34019202002308
