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 Ultrathin Niobium‐Doped Indium Oxide Active Layer Enables High‐Performance Phototransistors for Driving Quantum‐Dot Light‐Emitting Diodes 超薄铌掺杂氧化铟活性层实现了用于驱动量子点发光二极管的高性能光电晶体管
相关领域
光电子学
铟
量子点
铌
材料科学
兴奋剂
氧化铌
二极管
发光二极管
图层（电子）
活动层
氧化物
纳米技术
冶金
薄膜晶体管
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期刊：Laser & Photonics Reviews 作者：Lin Jianrong; Wenhui Fang; Haixing Tan; Haojun Zhang; Jinxiang Dai; et al 出版日期：2024-06-22 |
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