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标题
Investigation of Indium-optimized IGZO TFT via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Suitable for CMOS Backend of Line Integration
适用于CMOS线集成后端的等离子体增强原子层沉积铟优化IGZO TFT研究
相关领域
原子层沉积 薄膜晶体管 材料科学 生产线后端 CMOS芯片 图层（电子） 光电子学 铟 等离子体 沉积（地质） 纳米技术 计算机科学 电子工程 工程类 物理 古生物学 量子力学 沉积物 生物
网址
https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.ps-10-10
DOI
10.7567/ssdm.2024.ps-10-10 doi
其它 期刊：Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
作者：Meishan Zhang; Wenhui Wang; Jiqing Lu; Jun Lan; Haoran Peng; et al
出版日期：2024-09-03
求助人
给他来个地瓜 在 2024-12-11 17:29:14 发布自山东，悬赏 10 积分
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