Germanium surface segregation in highly doped Ge:β-Ga2O3 grown by molecular beam epitaxy observed by synchrotron radiation hard x-ray photoelectron spectroscopy

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标题	Germanium surface segregation in highly doped Ge:β-Ga2O3 grown by molecular beam epitaxy observed by synchrotron radiation hard x-ray photoelectron spectroscopy 用同步辐射硬x射线光电子能谱观察分子束外延生长的高掺杂Ge：β-Ga2O3中锗的表面偏析相关领域锗分子束外延同步辐射 X射线光电子能谱材料科学 X射线兴奋剂 X射线光谱学外延同步加速器光谱学结晶学原子物理学化学硅物理光学光电子学核磁共振纳米技术图层（电子）量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0220212
DOI	10.1063/5.0220212 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Anthony Boucly; Tyson C. Back; Thaddeus J. Asel; Brenton A. Noesges; Prescott E. Evans; et al 出版日期：2024-11-04
求助人	LSY 在 2024-11-07 20:21:25 发布自山东，悬赏 10 积分
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