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 MoS2 Negative‐Capacitance Field‐Effect Transistors with Subthreshold Swing below the Physics Limit 亚阈值摆幅低于物理极限的MoS2负电容场效应晶体管
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期刊：Advanced Materials 作者：Xingqiang Liu; Renrong Liang; Guoyun Gao; Caofeng Pan; Chunsheng Jiang; et al 出版日期：2018-05-21 |
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