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 An Atomically Resolved Schottky Barrier Height Approach for Bridging the Gap between Theory and Experiment at Metal–Semiconductor Heterojunctions 弥合金属-半导体异质结理论与实验差距的原子分辨肖特基势垒高度方法
相关领域
异质结
肖特基势垒
材料科学
半导体
欧姆接触
肖特基二极管
密度泛函理论
凝聚态物理
金属
光电子学
纳米技术
二极管
计算化学
物理
化学
冶金
图层（电子）
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：V. Sorkin; Hangbo Zhou; Zhi Gen Yu; Kah‐Wee Ang; Yong‐Wei Zhang 出版日期：2024-04-22 |
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