An Atomically Resolved Schottky Barrier Height Approach for Bridging the Gap between Theory and Experiment at Metal–Semiconductor Heterojunctions

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标题	An Atomically Resolved Schottky Barrier Height Approach for Bridging the Gap between Theory and Experiment at Metal–Semiconductor Heterojunctions 弥合金属-半导体异质结理论与实验差距的原子分辨肖特基势垒高度方法相关领域异质结肖特基势垒材料科学半导体欧姆接触肖特基二极管密度泛函理论凝聚态物理金属光电子学纳米技术二极管计算化学物理化学冶金图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c02294
DOI	10.1021/acsami.4c02294 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：V. Sorkin; Hangbo Zhou; Zhi Gen Yu; Kah‐Wee Ang; Yong‐Wei Zhang 出版日期：2024-04-22
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