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 Design and Simulation of CMOS based Bandgap Reference Voltage with Start-up Circuit using 180 nm, 90 nm and 45 nm Process Technology 采用180、90和45 nm工艺的CMOS带隙基准电压启动电路设计与仿真
相关领域
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电压
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电压基准
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计算机科学
电气工程
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心理学
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期刊： 作者：Akshaya Anand; P R Sreenidhi 出版日期：2022-03-25 |
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