Impact of Residual Stress on a Polysilicon Channel in Scaled 3D NAND Flash Memory

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标题	Impact of Residual Stress on a Polysilicon Channel in Scaled 3D NAND Flash Memory 残余应力对缩放三维NAND闪存多晶硅沟道的影响相关领域材料科学钨压力（语言学）残余应力频道（广播）抗压强度闪光灯（摄影）光电子学电气工程电子工程复合材料光学工程类冶金物理语言学哲学
网址	https://www.mdpi.com/2079-9292/10/21/2632/pdf?version=163540...
DOI	10.3390/electronics10212632 doi
其它	期刊：Electronics 作者：Ju-Young Lee; Dong-Gwan Yoon; Jae-Min Sim; Yun‐Heub Song 出版日期：2021-10-28
求助人	wu 在 2024-10-23 16:53:33 发布自湖北，悬赏 10 积分
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