标题 |
High Carrier Mobility and Controllable Electronic Property of the h-BN/SnSe2 Heterostructure
h-BN/SnSe2异质结构的高载流子迁移率和可控电子性能
相关领域
异质结
材料科学
半导体
直接和间接带隙
带隙
光电子学
单层
电子能带结构
凝聚态物理
纳米技术
物理
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其它 |
期刊:Langmuir 作者:Tong Liang; Chencheng Hu; Mengsi Lou; Zhiyan Feng; Dongbin Wang; et al 出版日期:2023-07-26 |
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