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Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field
优化热场改善8英寸4H-SiC晶片电阻率均匀性
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电阻率和电导率
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期刊:Vacuum 作者:G. X. Hu; Guanglei Zhong; Xixi Xiong; Huadong Li; Hongyu Shao; et al 出版日期:2024-01-10 |
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