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Demonstration of AlGaN/GaN-based ultraviolet phototransistor with a record high responsivity over 3.6 × 107 A/W
AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的演示,其响应度超过3.6 × 107 A/W
相关领域
光探测
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光电子学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Haochen Zhang; Fangzhou Liang; Kang‐Il Song; Chong Xing; Danhao Wang; et al 出版日期:2021-06-14 |
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