Necking Reduction at Low Temperature in Aspect Ratio Etching of SiO2 at CF4/H2/Ar Plasma

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标题	Necking Reduction at Low Temperature in Aspect Ratio Etching of SiO2 at CF4/H2/Ar Plasma CF4/H2/Ar等离子体长宽比刻蚀SiO2的低温颈缩减少相关领域蚀刻（微加工）纵横比（航空）材料科学缩颈反应离子刻蚀分析化学（期刊）等离子体干法蚀刻等离子体刻蚀复合材料化学图层（电子）色谱法量子力学物理
网址	https://www.mdpi.com/2079-4991/14/2/209/pdf?version=17054875...
DOI	10.3390/nano14020209 doi
其它	期刊：Nanomaterials 作者：Hee-Tae Kwon; In-Young Bang; Jae-Hyeon Kim; Hyeon-Jo Kim; Seong-Yong Lim; et al 出版日期：2024-01-17
求助人	独特的归尘在 2024-11-21 21:16:24 发布自上海，悬赏 10 积分
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