标题 |
An analytical approach of elimination of ambipolarity of DPDG- TFET using strained type II staggered SiGeSn heterostructure
应变II型交错SiGeSn异质结构消除DPDG-TFET双极性的解析方法
相关领域
异质结
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光电子学
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其它 |
期刊:Superlattices and Microstructures 作者:Namrata Shaw; Gopa Sen; Bratati Mukhopadhyay 出版日期:2020-03-20 |
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