Design and Evaluation of a 10 GHz LNA with Balun and Diodes for HBM and CDM ESD Protection in 28 nm CMOS FD-SOI

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标题	Design and Evaluation of a 10 GHz LNA with Balun and Diodes for HBM and CDM ESD Protection in 28 nm CMOS FD-SOI 用于28 nm CMOS FD-SOI中HBM和CDM ESD保护的10 GHz LNA的设计和评估相关领域巴伦 CMOS芯片静电放电二极管电气工程绝缘体上的硅材料科学光电子学电子工程工程类天线（收音机）硅电压
网址	http://dx.doi.org/10.1109/SBCCI62366.2024.10703990
DOI	10.1109/SBCCI62366.2024.10703990 doi
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