A Novel SGT MOSFET Based on Radiation-Hardening Technology and Its Total-Ionizing-Dose Radiation Effects

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标题	A Novel SGT MOSFET Based on Radiation-Hardening Technology and Its Total-Ionizing-Dose Radiation Effects 基于辐射硬化技术的新型SGT MOSFET及其总电离剂量辐射效应相关领域电离辐射 MOSFET 辐射辐射硬化辐射剂量物理材料科学电气工程光电子学辐照核物理学工程类电压核医学晶体管医学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3394470
DOI	10.1109/led.2024.3394470 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Weiye Mo; Jun Ye; Haonan Liu; Xuan Xiao; Wenqi Fan; et al 出版日期：2024-04-29
求助人	心心哈在 2025-02-19 15:34:05 发布自陕西，悬赏 10 积分
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