Decreasing Dark Current of Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensors by New Postmetallization Annealing and Ultraviolet Curing

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标题	Decreasing Dark Current of Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensors by New Postmetallization Annealing and Ultraviolet Curing 通过新型金属化后处理和紫外线固化降低互补金属氧化物半导体图像传感器的暗电流相关领域暗电流退火（玻璃）材料科学紫外线光电子学等离子体晶体管氧化物半导体氮化物氢纳米技术复合材料化学电气工程冶金电压图层（电子）光电探测器物理有机化学量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.47.139
DOI	10.1143/jjap.47.139 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Jongwan Jung; Doowon Kwon; Jinho Kim 出版日期：2008-01-01
求助人	wisliudj 在 2025-03-20 22:53:43 发布自广东，悬赏 10 积分
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