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  Impact of ${V_{\mathsf {th}}}$ Instability of Schottky-type p-GaN Gate HEMTs on Switching Behaviors 肖特基型p-GaN栅极HEMT的${V_{\mathsf{th}}}$不稳定性对开关行为的影响
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：X. F. Lu; Arnaud Videt; Soroush Faramehr; Ke Li; Vlad Marsic; et al 出版日期：2024-05-24 |
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