GaAsSb resonant-cavity enhanced avalanche photodiode operating at 1.06 [micro sign]m

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标题	[高分] GaAsSb resonant-cavity enhanced avalanche photodiode operating at 1.06 [micro sign]m GaAsSb谐振腔增强雪崩光电二极管工作在1.06[micro sign]m 相关领域雪崩光电二极管光电子学符号（数学）材料科学光电二极管量子阱单光子雪崩二极管量子效率吸收（声学）雪崩二极管谐振腔暗电流光学物理击穿电压光电探测器电压激光器探测器数学分析数学量子力学复合材料
网址	https://doi.org/10.1049/el:20046147
DOI	10.1049/el:20046147 doi
其它	期刊：Electronics Letters 作者：R. Sidhu; H. Chen; Ning Duan; Gauri Karve; Joe C. Campbell; et al 出版日期：2004-01-01
求助人	星海种花在 2024-02-09 15:18:38 发布自北京，悬赏 100 积分
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