Applications and mechanisms of anisotropic two-step Si3N4 etching with hydrogen plasma conditioning

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标题	Applications and mechanisms of anisotropic two-step Si3N4 etching with hydrogen plasma conditioning 氢等离子体条件下各向异性两步刻蚀Si3N4的应用及机理相关领域氮化物氧化物蚀刻（微加工）等离子体刻蚀材料科学图层（电子）等离子体闪存光电子学纳米技术化学工程冶金计算机科学计算机硬件物理量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1116/6.0002139
DOI	10.1116/6.0002139 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Ying Rui; Meng-Hsien Chen; Sumeet C. Pandey; Lan Li 出版日期：2023-02-13
求助人	若水琉璃默ღ⁶⁶⁶ 在 2023-09-18 10:24:22 发布自湖北，悬赏 10 积分
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