标题 |
Characterization of β-Ga2O3 homoepitaxial films and MOSFETs grown by MOCVD at high growth rates
高生长速率MOCVD生长β-Ga2O3同质外延薄膜和MOSFET的表征
相关领域
金属有机气相外延
外延
材料科学
光电子学
异质结
击穿电压
基质(水族馆)
MOSFET
晶体管
宽禁带半导体
带隙
图层(电子)
纳米技术
电压
电气工程
工程类
地质学
海洋学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Marko J. Tadjer; Fikadu Alema; A. Osinsky; Michael A. Mastro; Neeraj Nepal; et al 出版日期:2021-04-12 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|