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 The evolution of H+ implantation induced defects and the different cleavage behaviors under different thermal excitation in 4H-SiC during Crystal-Ion-Slicing technology 4H-SiC晶体离子切片过程中H+注入诱导缺陷的演化及不同热激发下的不同解理行为
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碳化硅
劈理（地质）
成核
微电子
切片
离子注入
制作
拉曼光谱
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热的
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化学物理
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化学
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期刊：Applied Surface Science 作者：Dailei Zhu; Wenbo Luo; G.W Wang; Li‐Min Wan; Yuedong Wang; et al 出版日期：2024-04-01 |
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