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 Decrease in Al acceptor density in Al-doped 4H-SiC by irradiation with 4.6 MeV electrons 4.6 MeV电子辐照Al掺杂4H-SiC中Al受体密度的降低
相关领域
辐照
接受者
兴奋剂
材料科学
Atom（片上系统）
电子
电子束处理
原子物理学
分子物理学
结晶学
凝聚态物理
化学
光电子学
物理
核物理学
计算机科学
嵌入式系统
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hideharu Matsuura; K. Aso; Sou Kagamihara; Hisaomi Iwata; Takuya Ishida; et al 出版日期：2003-12-10 |
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