Gate Bias Effects on Hydrogen-Terminated Polycrystalline Diamond FETs

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标题	Gate Bias Effects on Hydrogen-Terminated Polycrystalline Diamond FETs 栅极偏压对氢端接多晶金刚石场效应晶体管的影响相关领域符号域代数上的数学算术纯数学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3336633
DOI	10.1109/ted.2023.3336633 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Hongyue Wang; Yuebo Liu; Lei Ge; Mingsheng Xu; Yijun Shi; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	芋圆在 2024-07-14 18:33:16 发布自河南，悬赏 10 积分
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