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 An efficient in-memory carry select adder realization using resistive switching crossbar array with Ti-doped VO2 -based selector device 使用阻性开关十字架阵列和基于钛掺杂VO 2的选择器器件实现高效的内存中进制选择加法器
相关领域
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：U. Dilna; S. Prasad 出版日期：2024-03-01 |
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