An efficient in-memory carry select adder realization using resistive switching crossbar array with Ti-doped VO2 -based selector device

横杆开关 加法器 计算机科学 实现(概率) 结转(投资) 计算机硬件 并行计算 高效能源利用 电子工程 电气工程 工程类 电信 数学 延迟(音频) 统计 经济 财务
作者
U. Dilna,S. Prasad
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:171: 108008-108008 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.108008
摘要

In-memory computing (IMC) can significantly increase speed efficiency by significantly reducing the time and energy consumption of memory access. Therefore, efficient storage actions are essential for applications that require a lot of data. This article presents a simple Carry Generation and Selection (CGS) scheme-based Carry SeLect Adder (CGS-CSLA) using the realization of the Boolean majority three operation with an overturned input in crossbar Resistive memory. However, the usage of crossbar array structure is constrained by the sneak current path issue in real applications. The proposed 1S1R crossbar array uses a Ti-doped VO2 selector device to address this problem. Also, the proposed CSLA comprises a multiple-step architecture that comprises numerous single-step elements to improve the speed of operation using parallel operations. The proposed CGS-CSLA removes the superfluous operations of the traditional CSLA by simplifying the logic. The suggested adder lowered the delay to 8+3log2(n) and used less energy by minimizing sneak currents.
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