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 Research Progress on Radiation Damage Mechanism of SiC MOSFETs Under Various Irradiation Conditions 不同辐照条件下SiC MOSFETs辐射损伤机理研究进展
相关领域
材料科学
辐射损伤
MOSFET
可靠性（半导体）
辐射硬化
辐射
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qinghua Zeng; Zhichao Yang; Xingfu Wang; Shuti Li; Fangliang Gao 出版日期：2024-01-01 |
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