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3-inch GaN-on-Diamond HEMTs With Device-First Transfer Technology
采用器件优先转移技术的3英寸金刚石上GaN-on-Diamond HEMT
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材料科学
高电子迁移率晶体管
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Tingting Liu; Yuechan Kong; Lishu Wu; Huaixin Guo; Jianjun Zhou; et al 出版日期:2017-10-01 |
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