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 Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy 用导电原子力显微镜直接观察4H-SiC（0001）热氧化物中的介电击穿点
相关领域
材料科学
随时间变化的栅氧化层击穿
介电强度
导电原子力显微镜
电介质
电容器
氧化物
光电子学
栅氧化层
原子力显微镜
分析化学（期刊）
纳米技术
电压
电气工程
晶体管
冶金
工程类
化学
色谱法
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期刊：Materials Science Forum 作者：Kohei Kozono; Takuji Hosoi; Yusuke Kagei; Takashi Kirino; Shujiro Mitani; et al 出版日期：2010-04-01 |
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