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标题
压电半导体 GaSiX2(X = N、P 和 As)对柔性纳米电子器件的拉曼活性和高电子迁移率
相关领域
半导体 材料科学 压电 拉曼光谱 光电子学 电子迁移率 电子 工程物理 物理 复合材料 光学 量子力学
网址
DOI
10.1088/1361-6463/ada3df doi
求助人
等等小ur 在 2025-03-15 17:58:29 发布自新疆,悬赏 10 积分
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