压电半导体 GaSiX2（X = N、P 和 As）对柔性纳米电子器件的拉曼活性和高电子迁移率

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标题	压电半导体 GaSiX2（X = N、P 和 As）对柔性纳米电子器件的拉曼活性和高电子迁移率相关领域半导体材料科学压电拉曼光谱光电子学电子迁移率电子工程物理物理复合材料光学量子力学
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ada3df
DOI	10.1088/1361-6463/ada3df doi
求助人	等等小ur 在 2025-03-15 17:58:29 发布自新疆，悬赏 10 积分
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