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 The Future of GaN is Also High Voltage, High Current, and Bidirectional: (Invited) GaN的未来也是高压、大电流、双向：（特邀）
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：U. K. Mishra; Davide Bisi; Geetak Gupta; Carl J. Neufeld; P. Parikh 出版日期：2024-12-07 |
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