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 Low-Damage Processed and High-Pressure Annealed High-k Hafnium Zirconium Oxide Capacitors near Morphotropic Phase Boundary with Record-Low EOT of 2.4Å & high-k of 70 for DRAM Technology 低损伤加工和高压退火的高k铪锆氧化物电容器，靠近形态向相边界，EOT为2.4Å，高k为70，用于DRAM技术
相关领域
铪
高压
材料科学
德拉姆
电容器
锆
相界
退火（玻璃）
相（物质）
高-κ电介质
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化学
工程物理
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期刊：2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Venkateswarlu Gaddam; Junghyeon Hwang; Hunbeom Shin; Chaeheon Kim; Giuk Kim; et al 出版日期：2024-08-27 |
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