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Development and characteristic analysis of a field-plated Al2O3/AlInN/GaN MOS—HEMT
场镀Al2O3/AlInN/GaN MOS-HEMT的研制及特性分析
相关领域
高电子迁移率晶体管 跨导 材料科学 光电子学 击穿电压 原子层沉积 电介质 电压 图层（电子） 电气工程 晶体管 纳米技术 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/20/1/017203
DOI
10.1088/1674-1056/20/1/017203 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Wei Mao; Cui Yang; Hao Yao; Jincheng Zhang; Hongxia Liu; et al
出版日期：2011-01-01
求助人
DodoWang 在 2025-01-07 15:17:01 发布自上海，悬赏 10 积分
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