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Development and characteristic analysis of a field-plated Al2O3/AlInN/GaN MOS—HEMT

高电子迁移率晶体管 跨导 材料科学 光电子学 击穿电压 原子层沉积 电介质 电压 图层(电子) 电气工程 晶体管 纳米技术 工程类
作者
Wei Mao,Cui Yang,Hao Yao,Jincheng Zhang,Hongxia Liu,Zhiwei Bi,Shengrui Xu,JunShuai Xue,Xiaohua Ma,Chong Wang,Lin‐An Yang,Jinfeng Zhang,Xian-Wei Kuang
出处
期刊:Chinese Physics B [IOP Publishing]
卷期号:20 (1): 017203-017203 被引量:13
标识
DOI:10.1088/1674-1056/20/1/017203
摘要

We present an AlInN/AlN/GaN MOS—HEMT with a 3 nm ultra-thin atomic layer deposition (ALD) Al2O3 dielectric layer and a 0.3 μm field-plate (FP)-MOS—HEMT. Compared with a conventional AlInN/AlN/GaN HEMT (HEMT) with the same dimensions, a FP-MOS—HEMT with a 0.6 μm gate length exhibits an improved maximum drain current of 1141 mA/mm, an improved peak extrinsic transconductance of 325 mS/mm and effective suppression of gate leakage in both the reverse direction (by about one order of magnitude) and the forward direction (by more than two orders of magnitude). Moreover, the peak extrinsic transconductance of the FP-MOS—HEMT is slightly larger than that of the HEMT, indicating an exciting improvement of transconductance performance. The sharp transition from depletion to accumulation in the capacitance—voltage (C—V) curve of the FP-MOS—HEMT demonstrates a high-quality interface of Al2O3/AlInN. In addition, a large off-state breakdown voltage of 133 V, a high field-plate efficiency of 170 V/μm and a negligible double-pulse current collapse is achieved in the FP-MOS—HEMT. This is attributed to the adoption of an ultra-thin Al2O3 gate dielectric and also of a field-plate on the dielectric of an appropriate thickness. The results show a great potential application of the ultra-thin ALD-Al2O3 FP-MOS—HEMT to deliver high currents and power densities in high power microwave technologies.
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