Ballistic Transport in High-Performance and Low-Power Sub-5 nm Two-Dimensional ZrNBr MOSFETs

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标题	Ballistic Transport in High-Performance and Low-Power Sub-5 nm Two-Dimensional ZrNBr MOSFETs 高性能低功耗亚5 nm二维ZrNBR MOSFET中的弹道输运相关领域 CMOS芯片物理电子线路数码产品 MOSFET 密度泛函理论拓扑（电路）光电子学电气工程量子力学晶体管工程类电压
网址	https://doi.org/10.1109/led.2020.3000052
DOI	10.1109/led.2020.3000052 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hengze Qu; Shengli Zhang; Wenhan Zhou; Shiying Guo; Haibo Zeng 出版日期：2020-06-04
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