Challenges and advancements in p-GaN gate based high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon substrates

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标题	Challenges and advancements in p-GaN gate based high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon substrates 硅衬底上p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的挑战与进展相关领域材料科学晶体管光电子学硅电子感应高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管电子迁移率工程物理纳米技术电气工程工程类物理量子力学电压
网址	https://doi.org/10.1039/d4tc02720e
DOI	10.1039/d4tc02720e doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Mankang Zhu; Guoxin Li; Hangtian Li; Zhonghong Guo; Yingguo Yang; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	波安班在 2024-10-07 20:56:50 发布自天津，悬赏 10 积分
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